MOS管NCE55H11参数资料——凯发k8国际官网

【产品分类】高压MOS管

【产品型号】NCE55H11

【产品品牌】新邦微

【FET类型】N沟道

【漏源电压（vdss）】55V

【栅极电荷（Qg）】125

【反向恢复时间流】37ns

【最大耗散功率】200（mW）

产品封装为TO-220

该产品常用于高压NPN型MOS管，高频开关电源，高速功率开关等。

规格手册：资料下载

NCE55H11参数：

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