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1900年，意大利人L.隆巴迪发明了陶瓷介质电容器。30年代末，人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可以使可使介电常数成倍增长，从而制造出更便宜的瓷介质电容器。
1940年左右，当人们发现目前陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)是绝缘的后，他们开始在要求小尺寸和高精度的军用电子设备中使用陶瓷电容器。陶瓷层叠电容器是在1960年左右作为商品开发的。
到1970年，随着混合集成电路、计算机和便携式电子设备的进步，它也迅速发展，成为电子设备不可或缺的一部分。陶瓷介质电容器的总数现在占电容器市场的70%左右。
陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本结构是将陶瓷与内部电极重叠。陶瓷材料有几种。由于考虑到电子产品特别是无铅产品的无害性，高介电系数的PB(铅)已退出陶瓷电容器领域，目前主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3、CaZrO3(锆酸钙)等，适合大规模生产，价格低廉。
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，电容量范围广(通常为几PF至数百μF)，损耗小，电容量温度系数可根据需要在大范围内调整。
陶瓷电容器种类繁多，从0402(约1×0.5mm)封装贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器，其外形尺寸差异很大。根据所用介质材料的特性，可分为I型、II型和半导体陶瓷电容器;根据无功功率的大�。煞治凸β屎透吖β侍沾傻缛萜�;根据工作电压，可分为低压和高压陶瓷电容器;根据结构形状，可分为圆片形、管形、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。
陶瓷电容器的结构与并联叠片陶瓷电容器相似。其特点是将涂有金属电极的陶瓷介坯体与电极同时烧结成一个整体。这种结构称为独石结构，因此称为独石电容器。除了具有一般陶瓷介电容器的特性外，陶瓷电容器还具有体积小、比电容高、内部电感低、绝缘电阻高、介电损耗低、性价比高等优点。它可以安装在印刷电路板(PCB)和混合集成电路(HIC)基板上，有效地减少了电子信息终端产品(尤其是便携式产品)的体积和质量，并且可以很好地满足表面安装技术(SMT)发展的要求。
目前，陶瓷电容器已成为电容器的主流，逐渐取代铝和钽电解电容器、有机薄膜电容器和晶圆陶瓷电容器，广泛应用于计算机和家用电器等民用电子设备，以及航空航天、军事通信、武器和其他电子设备。
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